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测线AC剖面表层0~1米为低电阻率层值为1~5 ohmm,由表层延伸到深度15米处,局部深至24米。剖面深度24.5米处局部高电阻率值为16 ohmm。测线BD剖面表层0~14米为低电阻率层,剖面深度15.5米处高电阻率。测线BC剖面表层0~11米为低电阻率层,剖面深度16米处高电阻率。测线AD剖面表层0~15.5米为低电阻率层剖面深度24米处高电阻率。测线CD剖面表层0~9米为低电阻率层 剖面深度14米处高电阻率。测线AB剖面深度11米处高电阻率。
现场测试场景:
结果分析
依据测线剖面,判释表层0~1米低电阻率层值1~5 ohmm为地表水入渗造成,深度1米以下低电阻率为水藉由裂隙所造成。于测线近地表处局部高电阻率为地表面水泥层导致,剖面深度15米处高电阻率值16 ohmm推判为岩盘。整体测线图A→D/ B→D/C→D测线可发现C井及D井周围低电阻率皆偏低,低电阻率趋势为由C井及D井向A及B延伸及向下延伸。图A→D/ B→C测线可确认四井的中间区域为低电阻率区块,可能是原来暂栖水层或是裂隙所造成的暂栖水层。